به گزارش کارگروه بین‌الملل سایبربان، دادستان‌های کره جنوبی ۱۰ نفر را به اتهام سرقت فناوری تولید تراشه حافظه به شرکت چینی فناوری حافظه چانگ‌شین (CXMT) متهم کردند.
پرونده‌ای که به گفته مقامات، راه را برای توسعه حافظه با پهنای باند بالا (HBM) یک جزء حیاتی برای محاسبات هوش مصنوعی، در چین هموار کرد.
دفتر دادستانی ناحیه مرکزی سئول اعلام کرد که پنج نفر، از جمله یک مدیر اجرایی سابق سامسونگ الکترونیک و مهندسان، به دلیل نقض قانون حفاظت از فناوری صنعتی کره جنوبی متهم و در بازداشت به سر می‌برند، درحالی‌که پنج نفر دیگر متهم شده اما با قرار وثیقه آزاد شده‌اند.
دادستان‌ها گفتند:
یک محقق سابق سامسونگ الکترونیک که شغل خود را برای پیوستن به (CXMT) ترک کرد، صدها مرحله از فرایندهای تولید (DRAM) اختصاصی را با دست کپی کرده و دستورالعمل‌های دقیق فرایند شامل مشخصات تجهیزات، توالی‌یابی و بهینه‌سازی بازده را ثبت کرده است. این یادداشت‌های دست‌نویس بعداً برای بازسازی جریان تولید در شرکت چینی استفاده شده‌اند.
تحقیقات همچنین نشان داد که شرکت چینی چانگ‌شین از طریق یک تأمین‌کننده، فناوری (DRAM) بیشتری را از اِس کِی هاینیکس (SK Hynix) دریافت کرده و توسعه خود را تسریع بخشیده است.
فناوری فاش‌شدن شامل فرایندهای (DRAM)۱۰ نانومتری است که سامسونگ ۱.۶ تریلیون وون برای توسعه آن هزینه کرده است و سامسونگ تنها شرکتی بود که در آن زمان چنین فناوری را تجاری‌سازی کرده بود.
شرکت چینی چانگ‌شین متعاقباً داده‌های دزدیده‌شده را برای مطابقت با تجهیزات خودتنظیم و تأیید کرد و به‌این‌ترتیب توانست در سال ۲۰۲۳ به تولید (DRAM)۱۰ نانومتری دست یابد که اولین دستاورد یک شرکت چینی بود.
استفاده غیرقانونی از این فناوری، زمینه را برای توسعه (HBM)توسط شرکت چینی چانگ‌شین فراهم کرد و ضرر شرکت‌هایی مانند سامسونگ الکترونیک حداقل ده‌ها تریلیون وون تخمین زده می‌شود.
