ساخته شدن کوچکترین ترانزیستور جهان توسط MIT

به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان، به نقل از «MIT»؛ پژوهشگران دانشگاه MIT و کلورادو به تازگی اعلام کردند کوچکتر ترانزیستور 3 بعدی جهان را تولید کرده اند. ابعاد این سخت افزار یک دوم نمونه های تجاری امروزی است. آنها برای دستیابی به این هدف از شیوه ی میکروساخت (microfabrication) تازه ای استفاده کردند که مواد نیمه هادی ها را اتم به اتم اصلاح می کند.

هدف پژوهشگران پایبند بودن به قانون طلایی الکترونیک یا مور (Moor Law) است که بیان می کند، تعداد ترانزیستورهای موجود روی یک تراشه با ابعاد ثابت، هر 2 سال یک بار، 2 برابر خواهد شد. در حال حاضر برای دستیابی به این هدف از رویکرد معماری عمودی ترانزیستورهای 3 بعدی و ساختار 7 نانومتری بهره گرفته می شود. به کمک این روش می توان ده ها میلیارد ترانزیستور را روی ریزتراشه های با ابعاد ناخن قرار داد.

با توجه به اسناد منتشر شده، روش که محققان از آن استفاده کردند، نمونه ای بهبود یافته از حکاکی شیمیایی به نام «ترمال اِی. ال. ای» (thermal ALE¹) است. این روش امکان اصلاح مواد نیمه رساناها را در سطح اتمی فراهم می کند. به کمک این شیوه امکان تولید ترانزیستورهای سه بعدی با ابعادی معادل ۲.۵ نانومتر به وجود می آید که نسبت به نمونه های تجاری از کارایی بالاتری برخوردار هستند.

پژوهشگران معتقدند با بهره مندی از نوآوری بالا می توان تراشه های رایانه ای با قدرت پردازشی بسیار بالاتر ایجاد کرد.

1. _{thermal atomic level etching}