به گزارش کارگروه فناوری اطلاعات سایبربان ؛ بر اساس گزارشهای داخلی شیائومی ۱۲ اولترا از TSMC Qualcomm ۴ نانومتری اسنپدراگون ۸ نسل ۱+ استفاده میکند.
به گزارش گیزموچاینا، پس از تایید وجود Xiaomi ۱۲ Ultra، این دستگاه اکنون به طور رسمی وارد مرحله بعدی چرخه عرضه یک گوشی پرچمدار میشود یعنی درز اطلاعات و شایعات و این درز جدید در مورد پردازندهای است که شیائومی ۱۲ اولترا از آن استفاده میکند که شایعه شده است اسنپدراگون ۸ نسل ۱+ آینده کوالکام است.
این خبر از افشاگر محبوب چینی، Digital Chat Station در Weibo منتشر شده است. در پست Weibo اشاره شده است که Xiaomi L۲S با شماره مدل ۲۲۰۶۱۲۲SC از چیپست معرفی نشده Qualcomm SM۸۴۷۵ استفاده میکند. این فاش کننده همچنین عنوان کرده است که تاریخ عرضه دستگاه در سه ماهه سوم سال ۲۰۲۲ اتفاق میافتد.
گفتنی است؛ در اطلاعات قبلی هم آمده بود که شیائومی L۲S به عنوان Xiaomi ۱۲ Ultra در پایگاه داده IMEI دیده شد و چیپست Qualcomm SM۸۴۷۵ جانشین Qualcomm SM۸۴۵۰ شده است. شایعه شده که Qualcomm SM۸۴۷۵ Snapdragon ۸ Gen ۱+ نامیده میشود و انتظار میرود این بار به جای گره ۴ نانومتری سامسونگ، تحت فرآیند ۴ نانومتری TSMC تولید شود.
این افشاگری برای کسانی که از خرید شیائومی ۱۲ و ۱۲ پرو عقب مانده بودند و به جای آن تصمیم گرفتند منتظر شیائومی ۱۲ اولترا بمانند، یک شگفتی است. بررسیهای شیائومی ۱۲ و ۱۲ پرو به طور کلی مثبت بوده چه دوربین، چه نمایشگر یا تجربه صوتی، هر دو گوشی همه امکانات مورد نیاز را داشتند. با این حال، هر دو گوشی یک پاشنه آشیل اصلی دارند که نمیتوان آن را از طریق بهروزرسانی نرمافزاری حل کرد، یعنی تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۱ که هر دو دستگاه را تامین میکند.
تراشه اسنپدراگون ۸ نسل ۱ در بسیاری از دستگاهها مانند Xiaomi ۱۲، ۱۲ Pro، Motorola Edge X۳۰ و Realme GT ۲ Pro مستعد گرم شدن بیش از حد، مشکلات تخلیه باتری و حتی انقباض حرارتی بود. بسیاری کاستیهای تراشه را به دلیل ساختگی در فرآیند ۴ نانومتری LSI سامسونگ میدانند. این به این دلیل است که چیپستهای پرچمدار قبلی کوالکام مانند اسنپدراگون ۸۷۰، اسنپدراگون ۸۶۵ و اسنپدراگون ۸۵۵ این مشکلات را به شدت در نسل ۸، ۸ نشان ندادند، زیرا هر ۳ مورد تحت TSMC ساخته شده بودند.
با شکایتهای روزافزون از سوی تولیدکنندگان و مصرفکنندگان گوشی، کوالکام برای چیپست Snapdragon ۸ Gen ۱+ خود به TSMC بازمیگردد و از آخرین فرآیند ۴ نانومتری TSMC استفاده میکند که ادعا میکند حرارت، بازده انرژی و انرژی بهتر را به همراه داشته و عملکرد بهتری نیز نسبت به مدل قبلی خود دارد.
